ZHENGZHOU SONGYU HIGH TEMPERATURE TECHNOLOGY CO.,LTD Σχεδιάγραμμα επιχείρησης

προϊόντα

Σπίτι > προϊόντα > Στοιχείο θέρμανσης SIC > θερμαντικά στοιχεία τύπου g sic

θερμαντικά στοιχεία τύπου g sic

Λεπτομέρειες προιόντος

Τόπος καταγωγής: Κίνα

Μάρκα: SONGYU

Όροι πληρωμής & ναυτιλίας

Ποσότητα παραγγελίας min: 10PCS

Τιμή: Διαπραγματεύσιμα

Συσκευασία λεπτομέρειες: ξύλινη θήκη

Χρόνος παράδοσης: 15 εργάσιμες μέρες

Όροι πληρωμής: T/T, Western Union

Δυνατότητα προσφοράς: Η εταιρεία Spark Industry (Henan) Co., Ltd.

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Λεπτομέρειες προιόντος

Περιγραφή προϊόντων

Λεπτομέρειες προιόντος

Επισημαίνω: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                θερμαντικά στοιχεία τύπου g sic, Ελκυστικά θέρμανσης με σιδηροπυρηνικό διάλυμα, θερματικά στοιχεία τύπου g moly disilicide
                              

Υλικό:	Καρβίδιο του πυριτίου (SiC)	Σχήμα:	Ράβδος, U, W, H, Σπειροειδή κλπ.
Αντίσταση:	1.2Ω-10Ω	Μέγιστη χωρητικότητα φορτίων:	30-50W/cm2
Θερμική αγωγιμότητα:	120-200W/m·K	Εφαρμογή:	Βιομηχανικοί και εργαστηριακοί φούρνοι, εξοπλισμός θερμικής επεξεργασίας κλπ.
Σφιχτότητα:	20,6g/cm3	Τετάρτη:	220V-480V
Χαρακτηριστικά:	Αντίσταση σε υψηλές θερμοκρασίες, υψηλή θερμική αγωγιμότητα, χαμηλός συντελεστής θερμικής διαστολής,	Διάρκεια:	300 mm-4000 mm
Δυνατότητα:	300W-10000W	Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας:	1600°C (2912°F)
Διάμετρος:	8 mm-55 mm

Υλικό:	Καρβίδιο του πυριτίου (SiC)
Σχήμα:	Ράβδος, U, W, H, Σπειροειδή κλπ.
Αντίσταση:	1.2Ω-10Ω
Μέγιστη χωρητικότητα φορτίων:	30-50W/cm2
Θερμική αγωγιμότητα:	120-200W/m·K
Εφαρμογή:	Βιομηχανικοί και εργαστηριακοί φούρνοι, εξοπλισμός θερμικής επεξεργασίας κλπ.
Σφιχτότητα:	20,6g/cm3
Τετάρτη:	220V-480V
Χαρακτηριστικά:	Αντίσταση σε υψηλές θερμοκρασίες, υψηλή θερμική αγωγιμότητα, χαμηλός συντελεστής θερμικής διαστολής,
Διάρκεια:	300 mm-4000 mm
Δυνατότητα:	300W-10000W
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας:	1600°C (2912°F)
Διάμετρος:	8 mm-55 mm

Περιγραφή προϊόντων

Θερμαντικά στοιχεία SiC τύπου G

Η ράβδος άνθρακα πυριτίου είναι ένα σωληνώδες ηλεκτρικό θέρμανση υψηλής θερμοκρασίας σε σχήμα ράβδου ή σωλήνα.Μετά την επεξεργασία σε λευκά σύμφωνα με μια συγκεκριμένη αναλογία υλικών και τη συγκόλληση με πυριτίωση υψηλής θερμοκρασίας και ανακρυσταλλίκευση στους 2200 °CΣε μια οξειδωτική ατμόσφαιρα, η κανονική θερμοκρασία λειτουργίας του μπορεί να φθάσει τους 1450 °C και η συνεχή χρήση μπορεί να διαρκέσει έως και 2000 ώρες.η ράβδος άνθρακα πυριτίου παρουσιάζει χαρακτηριστικά αντοχής σε υψηλές θερμοκρασίες, αντοχή στην οξείδωση, αντοχή στη διάβρωση, ταχεία αύξηση της θερμοκρασίας, μακρά διάρκεια ζωής, μικρή παραμόρφωση υψηλής θερμοκρασίας, εύκολη εγκατάσταση και συντήρηση και σταθερά χημικά χαρακτηριστικά.Συμπληρωματικά με αυτοματοποιημένο ηλεκτρονικό σύστημα ελέγχου, μπορεί να επιτύχει ακριβή σταθερή θερμοκρασία και να ρυθμίσει την θερμοκρασία αυτόματα σύμφωνα με την καμπύλη που απαιτείται από τη διαδικασία παραγωγής.και αξιόπιστος.

Υλικό	Καρβίδιο του πυριτίου (SiC)
Σχήμα	Ράβδος, U, W, H, Σπειροειδή κλπ.
Αντίσταση	1.2Ω-10Ω
Μέγιστη χωρητικότητα φορτίου	30-50W/cm2
Θερμική αγωγιμότητα	120-200W/m·K
Εφαρμογή	Βιομηχανικοί και εργαστηριακοί φούρνοι, εξοπλισμός θερμικής επεξεργασίας κλπ.
Σφιχτότητα	20,6 g/cm3
Τετάρτη	220V-480V

Tags:

Επαφές: Mr. chen

Τηλεφώνημα: 86-0371-6289-6370

Επαφή τώρα

Μας ταχυδρομήστε

τα προϊόντα μας

Παρόμοια προϊόντα

MoSi2 στοιχείο θέρμανσης

Στοιχείο θέρμανσης SIC

Στοιχείο θέρμανσης καρβιδίου του πυριτίου

Ράβδος καρβιδίου του πυριτίου

Ηλεκτρικός φούρνος υψηλής θερμοκρασίας

MoSi2 στοιχείο θέρμανσης

Στοιχείο θέρμανσης SIC

Στοιχείο θέρμανσης καρβιδίου του πυριτίου

Ράβδος καρβιδίου του πυριτίου

Ηλεκτρικός φούρνος υψηλής θερμοκρασίας

θερμαντικά στοιχεία τύπου g sic